Corso di
NANOELETTRONICA
Scheda
| Codice | 8039176 |
| Denominazione inglese | NANOELECTRONICS |
| Lingua | Italiano |
| CFU | 6 |
| SSD | ING-INF/01 |
Docente
Prof. Aldo Di CarloProgramma
Introduzione.
Nanoelettronica. Nanotecnologie.
Approccio Top-Down. Richiami di MOS e MOSFET. Parametri fondamentali. Inversione. Tensione di soglia. Scaling MOSFET. Scaling ideale. Effetti di canale corto. Modelli elettrostatici MOSFET 2D e
parametri di scala (Modello di Taur). Perdita di controllo di gate. DIBL e Vt roll-off. Regole di progettazione. Delay delle interconnessioni. Leakege e ossidi high-K. Tecnologie alternative. SOI-MOSFET. DG-MOSFET. FinFET. Trasporto Quantistico (Balistico). Densità di corrente da eq. Schrödinger. Trasporto balistico in un nanofilo e nei conduttori balistici. MOSFET balistico.
Approccio Bottom-up. Autoagregazione. Nanostrutture e dispositivi basati su di esse. Dispositivi molecolari.
Sistemi di misura per la nanoelettronica.
Progetti di simulazione dispositivi nanoelettronici.
Lezioni 2025-26
Il corso si tiene nel primo semestre.L'orario sarà disponibile prima dell'inizio delle lezioni.
Statistiche
Questa sezione riassume le statistiche relative alle votazioni di profitto ottenute dagli studenti dall'anno accademico 2010-11 ad oggi. I dati sono aggiornati frequentemente, ma non in tempo reale. Essi si riferiscono comunque soltanto agli esami sostenuti da studenti iscritti al Corso di Laurea o Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica.Nel calcolo sono inclusi gli esami dello stesso corso con diverso codice.
Il 30 e lode è considerato come 31 nel calcolo della media e dello scarto quadratico medio.
| Statistica | Valore |
|---|---|
| Numero esami | 32 |
| Voto minimo | 25 |
| Voto massimo | 30 e lode |
| Media dei voti | 29,53 |
| Scarto dei voti | 1,64 |
| Anno accademico | Esami | Media |
|---|---|---|
| 2023-24 | 1 | 31,00 |
| 2020-21 | 2 | 29,50 |
| 2019-20 | 4 | 28,75 |
| 2018-19 | 3 | 30,00 |
| 2017-18 | 7 | 29,85 |
| 2016-17 | 5 | 27,80 |
| 2015-16 | 6 | 30,33 |
| 2014-15 | 4 | 30,00 |